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問題
パワー半導体スイッチングデバイスとしては近年、主にIGBTとパワーMOSFETが用いられている。両者を比較した記述として、誤っているものを次の（１）～（５）のうちから一つ選べ。
（１）IGBTは電圧駆動形であり、ゲート・エミッタ間の電圧によってオン・オフを制御する。
（２）パワーMOSFETは電流駆動形であり、キャリア蓄積効果があることからスイッチング損失が大きい。
（３）パワーMOSFETはユニポーラデバイスであり、バイポーラデバイス形のデバイスと比べてオン状態の抵抗が高い。
（４）IGBTはバイポーラトランジスタにパワーMOSFETの特徴を組み合わせることにより、スイッチング特性を改善している。
（５）パワーMOSFETではシリコンのかわりにSiCを用いることで、高耐圧化をしつつオン状態の抵抗を低くすることが可能になる。
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- （２）