<R2年度(2020年)問10>IGBTとパワーMOSFETに関する論説問題(解説未掲載)

目次

問題

パワー半導体スイッチングデバイスとしては近年、主にIGBTとパワーMOSFETが用いられている。両者を比較した記述として、誤っているものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。

(1)IGBTは電圧駆動形であり、ゲート・エミッタ間の電圧によってオン・オフを制御する。
(2)パワーMOSFETは電流駆動形であり、キャリア蓄積効果があることからスイッチング損失が大きい。
(3)パワーMOSFETはユニポーラデバイスであり、バイポーラデバイス形のデバイスと比べてオン状態の抵抗が高い。
(4)IGBTはバイポーラトランジスタにパワーMOSFETの特徴を組み合わせることにより、スイッチング特性を改善している。
(5)パワーMOSFETではシリコンのかわりにSiCを用いることで、高耐圧化をしつつオン状態の抵抗を低くすることが可能になる。

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(2)

 

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